Toshiba BiCS Flash на основе QLC

Toshiba BiCS Flash на основе QLC – устройство хранения данных на основе собственной технологии 3D флеш-памяти с четырехуровневыми ячейками (QLC).

2020: Разработка пятого поколения трёхмерной флеш-памяти BiCS Flash

31 января 2020 года компания Kioxia Europe объявила о завершении разработки пятого поколения трёхмерной (3D) флеш-памяти BiCS FLASH со 112-слойной вертикальной структурой. Kioxia планирует начать поставки первых рабочих образцов устройства ёмкостью 512 гигабит (64 гигабайта), созданного с использованием технологии TLC (triple-level cell, три бита на ячейку), в первом квартале 2020 года. По мнению Kioxia разработка поможет удовлетворить постоянно растущий спрос на дополнительные ёмкости для широкого спектра ситуаций, от традиционных мобильных устройств, потребительских и корпоративных твердотельных накопителей, до новых способов применения, которые возникают с развитием сетей 5G и искусственного интеллекта, распространением автономных транспортных средств.

В дальнейшем Kioxia планирует применять технологию пятого поколения в устройствах большей емкости, на 1 терабит (128 гигабайт) с использованием TLC и 1,33 терабит с использованием QLC (quadruple-level cell, четыре бита на ячейку).

Согласно заявлению разработчика, инновационная 112-слойная структура Kioxia в сочетании с продвинутой схематикой и передовыми производственными технологиями позволяет получить примерно на 20% более высокую плотность ячеек по сравнению с 96-слойной структурой предыдущего поколения. Таким образом удалось снизить стоимость памяти в перерасчёте на один бит и одновременно увеличить ёмкость производимой памяти из расчёта на одну кремниевую пластину. Кроме того, скорость работы интерфейса возрастает на 50%, увеличивается производительность во время программирования, сокращается задержка при чтении.Гид по российским системам PAM (Privileged Access Management) 88.4 т

С момента анонса прототипа 3D флеш-памяти в 2007 году, Kioxia продолжает развивать эту технологию и активно продвигает BiCS FLASH, чтобы удовлетворить спрос на большие ёмкости для хранения данных с использованием кристаллов меньшего размера.

Пятое поколение BiCS FLASH было разработано совместно с технологическим и производственным партнером — компанией Western Digital Corporation. Её производство будет организовано на фабрике Kioxia в Йоккаити и на заводе в Китаками.

2018: Разработка опытного образца

31 августа 2018 года компания Toshiba Memory Europe объявила о разработке опытного образца 96-слойной флеш-памяти BiCS FLASH.

По информации компании, технология QLC предусматривает увеличение количества бит данных в ячейке памяти с трех до четырех, существенно расширяя емкость. Устройство обладает объемом памяти – 1,33 ТБ на одном кристалле и разработано совместно с компанией Western Digital Corporation.

Оно также позволяет достичь емкости 2,66 ТБ в одном корпусе за счет использования многоуровневой архитектуры из 16 кристаллов. Объемы данных, создаваемые мобильными терминалами и подобными устройствами, продолжают расти благодаря распространению социальных сетей и развитию интернета вещей (IoT). При этом ожидается рост потребности анализировать и использовать эти данные в режиме реального времени. Для этого потребуются еще более быстрые жесткие диски и хранилища большей емкости. Устройства на основе технологии QLC и 96-слойного технологического процесса помогут решить эту задачу.

Как сообщалось, компания Toshiba Memory начнет поставки ознакомительных образцов производителям SSD-дисков и контроллеров SSD-дисков для оценки в начале сентября 2018 года, а начало серийного производства ожидается в 2019 году.