Samsung Embedded Universal Flash Storage (eUFS)

Продукт
Разработчики: Samsung Electronics
Дата премьеры системы: 2017/09/27
Дата последнего релиза: январь 2019 г
Отрасли: Электротехника и микроэлектроника
Технологии: Процессоры,  СХД

Содержание

Samsung Embedded Universal Flash Storage (eUFS) - интегрированная технология хранения данных в автомобильных устройствах.

2019: Производство терабайтных чипов для смартфонов

В конце января 2019 года Samsung Electronics сообщила о запуске серийного производства, как утверждает компания, первых на рынке чипов памяти Embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 объемом 1 Тбайт. Они предназначены для использования в смартфонах, планшетах и другой портативной электронике.

Новый модуль eUFS 2.1, который Samsung начала изготавливать на своем предприятии на заводе Пхёнтхэк (Pyeongtaek) в Южной Корее, выполнен по технологии флеш-памяти V-NAND с 16-ю слоями и использует фирменный контроллер, благодаря которому южнокорейский производитель заявляет высокое быстродействие памяти. Физические размеры изделия составляют 11,5 х 13 мм.

Samsung запустила производство терабайтных накопителей для смартфонов
Samsung запустила производство терабайтных накопителей для смартфонов

Терабайтный модуль eUFS 2.1 обладает скоростью последовательного чтения данных в 1000 Мбайт/с, а запись может осуществляться на скорости до 260 Мбайт/с.

Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) достигает 58 тыс. при произвольном чтении данных и до 50 тыс. при произвольной записи.

В Samsung отмечают, что 1 Тбайт — это примерно в 20 раз больше 64 Гбайт памяти, которую можно встретить во многих смартфонах к началу 2019 года. Такая вместимость может сыграть решающую роль в том, чтобы мобильные устройства следующего поколения стали еще ближе к ноутбукам, говорится в пресс-релизе.

На момент анонса серийного производства терабайтных чипов eUFS 2.1 они выпускаются в ограниченном количестве, а увеличение объемов производство намечено на первую половину 2019 года. Samsung не сомневается в высоком спросе на этот продукт.[1]

Предполагается, что накопитель eUFS 2.1 объемом 1 Тбайт найдет применение во флагманском смартфоне Samsung Galaxy S10, презентация которого состоится 20 февраля 2019 года. По слухам, гаджет также получит до 12 Гбайт оперативной памяти.

2017: Использование в автомобильной электронике

26 сентября 2017 года Samsung Electronics заявила об использовании встроенного решения Universal Flash Storage (eUFS) в автомобильных устройствах.

Флэш-память eUFS, (2017)
Флэш-память eUFS, (2017)

Технология eUFS будет выпускаться в двух версиях: 128 ГБ и 64 ГБ. Устройство предназначено для современных систем помощи водителю (ADAS), приборных панелей, информационно-развлекательных систем, которые позволят водителям и пассажирам использовать комплексные функции подключенных устройств[2].

Память eUFS создана на основе последней версии стандарта UFS (JEDEC UFS 2.1). 128 ГБ eUFS может считывать данные со скоростью до 850 МБ/с. Высокая скорость произвольного чтения позволяет повысить производительность автомобильных информационно-развлекательных систем с точки зрения качественного управления аудиоконтентом, скорости реакции средств навигации, доступа к информации о ситуации на дорогах и прогнозе погоды через Интернет, улучшения обработки голосовых команд, поданных через беспроводную гарнитуру, и ускорения взаимодействия с социальными сетями с задних пассажирских мест.

Решение eUFS поддерживает эффективный и надежный процесс обработки ошибок, что важно для автомобильных информационно-развлекательных систем. Действующая на основе протокола MIPI UniPro, память eUFS позволяет обнаруживать и компенсировать ошибки ввода-вывода на аппаратном уровне без привлечения базового программного обеспечения или перезагрузки системы.

Samsung eUFS поддерживает современные функции обновления данных и уведомлений о температуре. Современная функция обновления данных позволяет выбирать методы обновления и предоставляет системам управления базового устройства информацию об обновляемом устройстве, частоте и ходе обновления. Это обеспечивает оптимальную надежность данных, что очень важно для автомобильных систем.

В контроллер Samsung eUFS интегрирован датчик температуры, это позволяет эффективно контролировать температуру устройства. Такой механизм контроля не позволяет памяти eUFS превышать верхние и нижние температурные пределы, поэтому ячейки NAND могут функционировать в жестких температурных условиях внутри автомобиля.

Примечания



Распределение вендоров по количеству проектов внедрений (систем, проектов) с учётом партнёров

За всю историю
2016 год
2017 год
2018 год

  SAP SE (1, 57)
  IBM (36, 53)
  Рэйдикс (Raidix) (16, 40)
  NetApp (20, 33)
  Hewlett Packard Enterprise (HPE) (19, 32)
  Другие (540, 205)

  Рэйдикс (Raidix) (2, 8)
  NetApp (3, 7)
  HDS (Hitachi Data Systems Corporation) (3, 5)
  IBM (2, 5)
  Hewlett Packard Enterprise (HPE) (2, 4)
  Другие (20, 31)

  Рэйдикс (Raidix) (2, 10)
  Hewlett Packard Enterprise (HPE) (3, 4)
  SAP SE (1, 4)
  NetApp (2, 3)
  IBM (2, 2)
  Другие (11, 11)

Распределение базовых систем по количеству проектов, включая партнерские решения

За всю историю
2016 год
2017 год
2018 год

  SAP NetWeaver Business Warehouse (SAP BW/4HANA) - 57 (57, 0)
  Raidix СХД - 34 (34, 0)
  RS-DataHouse - 28 (24, 4)
  NetApp FASx - 21 (21, 0)
  IBM Storwize V series - 15 (15, 0)
  Другие 281

  Raidix СХД - 7 (7, 0)
  IBM Storwize V series - 4 (4, 0)
  NetApp FASx - 4 (4, 0)
  RS-DataHouse - 4 (4, 0)
  SAP NetWeaver Business Warehouse (SAP BW/4HANA) - 4 (4, 0)
  Другие 50

  Raidix СХД - 9 (9, 0)
  SAP NetWeaver Business Warehouse (SAP BW/4HANA) - 4 (4, 0)
  HPE MSA - 2 (2, 0)
  NetApp E-Series - 2 (2, 0)
  Dell Compellent Storage Center - 1 (1, 0)
  Другие 22

  Raidix СХД - 8 (8, 0)
  HPE 3PAR StoreServ Storage - 3 (3, 0)
  Lenovo ThinkSystem - 2 (2, 0)
  RS-DataHouse - 2 (1, 1)
  Acronis Storage - 1 (1, 0)
  Другие 8

Подрядчики-лидеры по количеству проектов

За всю историю
2016 год
2017 год
2018 год

Распределение вендоров по количеству проектов внедрений (систем, проектов) с учётом партнёров

За всю историю
2016 год
2017 год
2018 год

  МЦСТ (15, 6)
  Oracle (8, 6)
  Микрон (Mikron) (2, 3)
  ИНЭУМ им. И.С. Брука (1, 3)
  AMD (8, 2)
  Другие (125, 5)

  ИНЭУМ им. И.С. Брука (1, 2)
  Другие (0, 0)

  Байкал Электроникс (Baikal Electronics) (1, 1)
  Intel (1, 1)
  Другие (0, 0)

  МЦСТ (2, 2)
  Nvidia (Нвидиа) (2, 2)
  AMD (1, 2)
  Байкал Электроникс (Baikal Electronics) (1, 1)
  Oracle (1, 1)
  Другие (0, 0)

Распределение базовых систем по количеству проектов, включая партнерские решения

За всю историю
2016 год
2017 год
2018 год

  Эльбрус 4.4 - 2 (2, 0)
  Другие 0

  Intel Xeon Scalable - 1 (1, 0)
  Baikal-Т1 - 1 (1, 0)
  Другие 0

  AMD EPYC (ранее Opteron) - 2 (2, 0)
  Nvidia Jetson - 1 (1, 0)
  Nvidia Quadro - 1 (1, 0)
  Oracle SPARC - 1 (1, 0)
  Baikal-Т1 - 1 (1, 0)
  Другие 2