Toshiba DF series

Продукт
Разработчики: Toshiba Electronics Europe (TEE)
Дата премьеры системы: 2016/09/12
Дата последнего релиза: 2018/01/26
Отрасли: Электротехника и микроэлектроника
Технологии: Процессоры

DFxxxxxxx - линейка TVS-диодов для высокоскоростных интерфейсов.

2018: DF2B7ASL

Компания Toshiba Electronics Europe представила симметричный диод DF2B7ASL для защиты от электростатических разрядов (ESD), предназначенный главным образом для защиты интерфейсов в устройствах, требующих минимальной площади монтажа.

Сверхкомпактный симметричный диод DF2B7ASL
Сверхкомпактный симметричный диод DF2B7ASL

DF2B7ASL обладает характеристикой диода с накоплением заряда и может обеспечивать низкие напряжения ограничения, что в сочетании с низким динамическим сопротивлением диода позволяет добиться высокой эффективности защиты полупроводниковых ИС от статического электричества, утверждают в Toshiba. Диод выпускается в сверхкомпактном корпусе и предназначен для систем, требующих минимальной площади монтажа, включая интерфейсы смартфонов, носимых устройств и приборов с автономным питанием.

Низкое динамическое сопротивление, всего 0,2 Ом, и низкое напряжение ограничения VC, всего 11 В при уровне сигнала 5 В (VRWM ≤ 5,5 В), сочетаются в диоде DF2B7ASL с максимальным напряжением электростатического разряда ±30 кВ в соответствии с требованиями IEC61000-4-2 (контактный разряд).

В целях снижения требуемой площади для монтажа диоды Toshiba выпускаются в корпусе SOD-962 (SL2), для монтажа которого на плате требуется площадь размером всего 0,32 мм x 0,62 мм.

2016: DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N и DF10G6M4N

12 сентября 2016 года компания Toshiba представила TVS-диоды DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N и DF10G6M4N, предназначенные для защиты высокоскоростных интерфейсов.

Рост объемов трафика данных, связанный с распространением смартфонов, портативных устройств, систем виртуальной реальности и устройств Интернета вещей (IoT), связан с использованием большого числа высокоскоростных интерфейсов, которым требуется защита от электростатических разрядов (ESD).

Диод DF2B5M4SL в корпусе, (2016)
Диод DF2B5M4SL в корпусе, (2016)

Для решения этой задачи компания Toshiba Electronics Europe выпустила диоды для защиты от электростатических разрядов на основе технологического процесса для производства матриц защитных диодов (EAP-IV) 4-го поколения, в котором используется собственная технология изготовления диодов с накоплением заряда.

DF2B5M4SL, DF2B6M4SL, DF10G5M4N и DF10G6M4N обеспечивают защиту высокоскоростных интерфейсов, в том числе в системах с интерфейсами USB 3.1. Различные рабочие напряжения (3,6 и 5,5 В) и корпуса (SOD962 и DFN10) обеспечивают гибкость при реализации защиты от электростатических разрядов в различных проектах.

Посредством технологического процесса компании Toshiba эти четыре устройства сочетают низкую емкость, низкое динамическое сопротивление и устойчивость к воздействию электростатических разрядов. Сверхнизкая емкость (0,2 пФ) гарантирует минимальное искажение сигнала при высокоскоростной передаче данных, а типовое динамическое сопротивление RDYN = 0,5 Ом обеспечивает низкие напряжения смещения. Устройства обеспечивают защиту: в соответствии с требованиями IEC61000-4-2 гарантирована защита от электростатических разрядов с напряжением не менее ±20 кВ.

Устройства DF2BxM4SL предназначены специально для монтажа на платах с высокой плотностью компонентов, поскольку корпус SOD-962 требует пространства размером всего 0,62 мм x 0,32 мм и может размещаться рядом с ИС, требующими защиты от электростатических разрядов.

Для устройств типа DF10GxM4N корпус DFN10 может размещаться сверху 4-разрядной шины. Такая сквозная конструкция помогает упростить разводку шин на печатных платах, поскольку не требуются дополнительные отводы для подключения отдельных TVS-диодов.



Подрядчики-лидеры по количеству проектов

За всю историю
2016 год
2017 год
2018 год

Распределение вендоров по количеству проектов внедрений (систем, проектов) с учётом партнёров

За всю историю
2016 год
2017 год
2018 год

  МЦСТ (15, 6)
  Oracle (8, 6)
  Микрон (Mikron) (2, 3)
  ИНЭУМ им. И.С. Брука (1, 3)
  AMD (8, 2)
  Другие (125, 5)

  ИНЭУМ им. И.С. Брука (1, 2)
  Другие (0, 0)

  Байкал Электроникс (Baikal Electronics) (1, 1)
  Intel (1, 1)
  Другие (0, 0)

  МЦСТ (2, 2)
  Nvidia (Нвидиа) (2, 2)
  AMD (1, 2)
  Байкал Электроникс (Baikal Electronics) (1, 1)
  Oracle (1, 1)
  Другие (0, 0)

Распределение базовых систем по количеству проектов, включая партнерские решения

За всю историю
2016 год
2017 год
2018 год

  Эльбрус 4.4 - 2 (2, 0)
  Другие 0

  Intel Xeon Scalable - 1 (1, 0)
  Baikal-Т1 - 1 (1, 0)
  Другие 0

  AMD EPYC (ранее Opteron) - 2 (2, 0)
  Nvidia Jetson - 1 (1, 0)
  Nvidia Quadro - 1 (1, 0)
  Oracle SPARC - 1 (1, 0)
  Baikal-Т1 - 1 (1, 0)
  Другие 2