Samsung Embedded Universal Flash Storage (eUFS)

Samsung Embedded Universal Flash Storage (eUFS) - интегрированная технология хранения данных в автомобильных устройствах.

2019: Производство терабайтных чипов для смартфонов

В конце января 2019 года Samsung Electronics сообщила о запуске серийного производства, как утверждает компания, первых на рынке чипов памяти Embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 объемом 1 Тбайт. Они предназначены для использования в смартфонах, планшетах и другой портативной электронике.

Новый модуль eUFS 2.1, который Samsung начала изготавливать на своем предприятии на заводе Пхёнтхэк (Pyeongtaek) в Южной Корее, выполнен по технологии флеш-памяти V-NAND с 16-ю слоями и использует фирменный контроллер, благодаря которому южнокорейский производитель заявляет высокое быстродействие памяти. Физические размеры изделия составляют 11,5 х 13 мм.

Samsung запустила производство терабайтных накопителей для смартфонов

Терабайтный модуль eUFS 2.1 обладает скоростью последовательного чтения данных в 1000 Мбайт/с, а запись может осуществляться на скорости до 260 Мбайт/с.

Показатель IOPS (операций ввода/вывода в секунду) достигает 58 тыс. при произвольном чтении данных и до 50 тыс. при произвольной записи.

В Samsung отмечают, что 1 Тбайт — это примерно в 20 раз больше 64 Гбайт памяти, которую можно встретить во многих смартфонах к началу 2019 года. Такая вместимость может сыграть решающую роль в том, чтобы мобильные устройства следующего поколения стали еще ближе к ноутбукам, говорится в пресс-релизе.Догнать и перегнать: Российские ВКС прирастают новыми функциями 6.8 т

На момент анонса серийного производства терабайтных чипов eUFS 2.1 они выпускаются в ограниченном количестве, а увеличение объемов производство намечено на первую половину 2019 года. Samsung не сомневается в высоком спросе на этот продукт.^[1]

Предполагается, что накопитель eUFS 2.1 объемом 1 Тбайт найдет применение во флагманском смартфоне Samsung Galaxy S10, презентация которого состоится 20 февраля 2019 года. По слухам, гаджет также получит до 12 Гбайт оперативной памяти.

2017: Использование в автомобильной электронике

26 сентября 2017 года Samsung Electronics заявила об использовании встроенного решения Universal Flash Storage (eUFS) в автомобильных устройствах.

Флэш-память eUFS, (2017)

Технология eUFS будет выпускаться в двух версиях: 128 ГБ и 64 ГБ. Устройство предназначено для современных систем помощи водителю (ADAS), приборных панелей, информационно-развлекательных систем, которые позволят водителям и пассажирам использовать комплексные функции подключенных устройств^[2].

Память eUFS создана на основе последней версии стандарта UFS (JEDEC UFS 2.1). 128 ГБ eUFS может считывать данные со скоростью до 850 МБ/с. Высокая скорость произвольного чтения позволяет повысить производительность автомобильных информационно-развлекательных систем с точки зрения качественного управления аудиоконтентом, скорости реакции средств навигации, доступа к информации о ситуации на дорогах и прогнозе погоды через Интернет, улучшения обработки голосовых команд, поданных через беспроводную гарнитуру, и ускорения взаимодействия с социальными сетями с задних пассажирских мест.

Решение eUFS поддерживает эффективный и надежный процесс обработки ошибок, что важно для автомобильных информационно-развлекательных систем. Действующая на основе протокола MIPI UniPro, память eUFS позволяет обнаруживать и компенсировать ошибки ввода-вывода на аппаратном уровне без привлечения базового программного обеспечения или перезагрузки системы.

Samsung eUFS поддерживает современные функции обновления данных и уведомлений о температуре. Современная функция обновления данных позволяет выбирать методы обновления и предоставляет системам управления базового устройства информацию об обновляемом устройстве, частоте и ходе обновления. Это обеспечивает оптимальную надежность данных, что очень важно для автомобильных систем.

В контроллер Samsung eUFS интегрирован датчик температуры, это позволяет эффективно контролировать температуру устройства. Такой механизм контроля не позволяет памяти eUFS превышать верхние и нижние температурные пределы, поэтому ячейки NAND могут функционировать в жестких температурных условиях внутри автомобиля.

Примечания