Toshiba: Serial Interface NAND

Продукт
Разработчики: Toshiba Electronics Europe (TEE)
Дата премьеры системы: 2015/10/21
Дата последнего релиза: 2019/09/26
Технологии: СХД

Serial Interface NAND - серия устройств флэш-памяти SLC NAND 24 нм для встраиваемых решений совместимых с широко используемым последовательным периферийным интерфейсом (SPI) от компании Toshiba.

2019: Второе поколение решений Serial Interface NAND емкостью до 8 Гбит

26 сентября 2019 года компания Toshiba Memory Europe представила второе поколение флэш-памяти NAND для встраиваемых решений, которое отличается повышенной ёмкостью и производительностью. Благодаря высокой скорости передачи данных продукты Serial Interface NAND совместимы с интерфейсом SPI и подходят для применения в широком спектре потребительских, промышленных и коммуникационных решений. Отгрузка тестовых образцов микросхем началась с сентября 2019 года, а массовое производство запланировано на октябрь 2019 года.

Toshiba Memory Europe представила второе поколение флэш-памяти Serial Interface NAND

В Toshiba Memory Europe отметили, что по мере того, как уменьшаются габариты устройств интернета вещей и сферы коммуникаций, растёт спрос на флэш-память в миниатюрных корпусах с малым количеством контактов, которая может обеспечить высокую скорость чтения и записи данных. Благодаря совместимости с широко распространённым интерфейсом SPI, продукты линейки Serial Interface NAND могут использоваться в качестве флэш-памяти SLC NAND с малым количеством контактов и отличаются высокой ёмкостью и компактными размерами.

Со слов производителя, чтобы обеспечить высокую скорость передачи данных, продукты Serial Interface NAND второго поколения отличаются увеличенной (по сравнению с первым поколением) производительностью, включая поддержку рабочей частоты 133 МГц и режима program x4. Помимо этого, чтобы удовлетворить спрос на большие объёмы памяти, в представленную линейку входит решение ёмкостью 8 Гбит (1 ГБ). Все микросхемы выпускаются в 8-контактных корпусах типоразмера WSON габаритами 6 x 8 мм.Российский рынок ERP-систем сократился, но приготовился к росту. Обзор и рейтинг TAdviser 250.1 т

Основные особенности, отмеченные производителем:

  • Ёмкость 1 – 8 Гбит
  • Размеры страницы памяти 2 Кбит (1/2 Гбит) и 4 Кбит (4/8 Gb) для более эффективного чтения/записи данных ОС
  • Режимы x4 Program и Read для повышения скорости доступа и производительности при программировании
  • Поддержка ECC и защиты данных выявляет инвертирование разрядов и обеспечивает защиту выделенных блоков
  • Функция Parameter Page для получения подробных данных об устройстве.

«
«Сложность встраиваемых устройств и требования к их габаритам постоянно растут, поэтому разработчикам требуются гибкость и производительность, которые может обеспечить флэш-память Serial Interface NAND»,

отметил Аксель Стоерманн (Axel Stoermann), вице-президент Toshiba Memory Europe
»

2015: SLC NAND 24 нм

21 октября 2015 года компания Toshiba Electronics Europe представила серию устройств флэш-памяти SLC NAND 24 нм. Среди устройств, использующих флэш-память NAND с последовательным интерфейсом:

  • бытовая электроника,
  • телевизоры с плоскими экранами,
  • принтеры,
  • носимые устройства,
  • изделия для промышленности, в том числе промышленные роботы.

Serial Interface NAND (2015)

В составе серии устройства с плотностью данных 1 Гбит, 2 Гбит и 4 Гбит, выполненные в корпусах SOP (10,3 мм x 7,5 мм) или WSON (6,0 мм x 8,0 мм). Для всех сочетаний корпусов и плотности данных выпускаются устройства с номиналом входного напряжения 1,8 или 3,3 В.

Функции высокоскоростного последовательного чтения, встроенный код коррекции ошибок (ECC) с функцией сообщения об инвертировании разряда, встроенные средства защиты данных - обеспечивают быстрый доступ к данным, их надежное и безопасное хранение.

Последовательный периферийный интерфейс позволяет управлять устройствами, используя шесть выводов, предоставляя пользователям доступ к флэш-памяти SLC NAND большой емкости с малым количеством выводов в миниатюрном корпусе. Память NAND с последовательным интерфейсом обладает значительно меньшей стоимостью на один бит в сравнении с решениями на основе флэш-памяти NOR, традиционно используемыми для встраиваемых систем.

Для удовлетворения растущих требований заказчиков к функциональности встраиваемых устройств требуется увеличение плотности хранения данных. Это приводит к росту спроса на устройства памяти высокой емкости для хранения программного обеспечения (в том числе загрузочных программ, микропрограммного обеспечения и встроенных ОС) и данных (включая данные журналов), поэтому разработчики устройств переходят на использование флеш-памяти SLC NAND, обладающей высокой плотностью хранения данных и высокой надежностью.

С учетом диапазона рабочих температур от -40 до +85 °C устройства могут использоваться в подавляющем большинстве бытовых и промышленных встраиваемых решений. Поставки ознакомительных образцов устройств в корпусах WSON и SOP начнутся в октябре 2015 года, а начало серийного производства запланировано на декабрь 2015 года.



Распределение вендоров по количеству проектов внедрений (систем, проектов) с учётом партнёров

За всю историю
2021 год
2022 год
2023 год
Текущий год

  SAP SE (1, 101)
  NetApp (25, 66)
  Рэйдикс (Raidix) (19, 50)
  IBM (30, 43)
  Dell EMC (68, 32)
  Другие (676, 337)

  SAP SE (1, 8)
  NetApp (5, 7)
  Aerodisk (Аеро Диск) (5, 6)
  Lenovo (1, 6)
  Lenovo Data Center Group (1, 6)
  Другие (18, 19)

  Aerodisk (Аеро Диск) (3, 2)
  Hewlett Packard Enterprise (HPE) (1, 1)
  Lenovo Data Center Group (1, 1)
  NetApp (1, 1)
  КНС Групп (Yadro) (1, 1)
  Другие (6, 6)

  КНС Групп (Yadro) (1, 1)
  Synology (SLMP PTE) (1, 1)
  Другие (0, 0)

Распределение систем по количеству проектов, не включая партнерские решения

За всю историю
2021 год
2022 год
2023 год
Текущий год