CTF-based 4D NAND Flash

Продукт
Разработчики: SK Hynix
Дата премьеры системы: ноябрь 2018 г
Отрасли: Информационные технологии

2018: Анонс

В ноябре 2018 года SK Hynix анонсировала, как утверждает компания, первую в мире флеш-память 4D NAND. Под этим маркетинговым названием скрывается 96-слойная память TLC NAND, в которой совмещаются технологии CTF (Charge Trap Flash — ячейка с ловушкой заряда) и PUC (Periphery Under Cell — вынос периферийных цепей под ячейки памяти).

Таким образом, память 4D NAND flash предполагает не только многослойную компоновку, но и размещение периферийных цепей в слоях. Такие конструктивные особенности позволили сделать чипы компактнее и быстрее.

SK Hynix выпустила первую в мире флеш-память 4D NAND. SSD станут быстрее и компактнее

Так, размеры кристалла снизились на треть по сравнению с 72-слойной памятью 3D TLC NAND, а число чипов на пластине выросло наполовину. Скорость чтения и записи данных повысилась на 25% и 30% соответственно, пропускная способность линий ввода-вывода достигла 1200 Мбит/с в расчете на одну линию при напряжении питания 1,2 В. Плотность кристалла составляет 512 Гбит.

«
SK Hynix первой в отрасли объединила 3D CTF с PUC, что отличается от способа интеграции плавающих затворов 3D и PUC. В результате достигнуты лучшие на рынке показатели производительности и продуктивности. Компания назвала продукт CTF-based 4D NAND Flash, чтобы отличать его от современных технологий 3D NAND flash, — говорится в пресс-релизе компании.
»

В качестве технической основы по-прежнему используется технология TLC, хранящая три бита на ячейку памяти. Пока не совсем понятно, когда производители перейдут на QLC NAND. Данная технология позволила бы еще сильнее нарастить плотность хранения данных.Как зародилась масштабная коррупционная схема при внедрении ИТ в ПФР при участии «Техносерва» и «Редсис». Подробности 38.6 т

SK Hynix собирается приступить к массовым поставкам памяти 4D NAND flash до конца 2018 года. Первые твердотельные накопители, основанные на таких чипах, должны появиться достаточно быстро.[1]

Кроме того, в 2019 году южнокорейская компания намерена запустить серийное производство подобных микросхем объемом 1 Тбит. Также сообщается о планах по выпуску клиентских твердотельных накопителей объемом до 1 Тбайт на базе собственных контроллеров SK Hynix.

Примечания